磁控濺射技術(shù)近年來(lái)發(fā)展很快,其代表方法有平衡磁控濺射、反應(yīng)磁控濺射、中頻磁控濺射和高能量脈沖磁控濺射等。
濺射鍍膜工藝主要是將需要鍍膜的材料制備成靶板,固定于濺射鍍膜系統(tǒng)的陰極上,所述靶板的基片置于正對(duì)靶表面的陽(yáng)極上。濺射系統(tǒng)抽到高真空后充入氬氣等,使陰極與陽(yáng)極之間產(chǎn)生高壓負(fù)載,陰陽(yáng)極之間產(chǎn)生低壓輝光放電。由放電產(chǎn)生的等離子體中,氬氣正離子在電場(chǎng)的作用下向陰極運(yùn)動(dòng),與目標(biāo)表面發(fā)生碰撞,被碰撞而濺射的目標(biāo)原子被稱為濺射原子,濺射原子的能量一般在一至幾十電子伏范圍內(nèi),濺射原子先在基底表面沉積,然后形成膜。濺射膜是指用低氣壓輝光放電產(chǎn)生的氬氣正離子對(duì)陰極靶進(jìn)行高速度的電場(chǎng)轟擊,濺射靶內(nèi)的原子或分子等粒子,使之沉積到基片或工件表面,從而形成所需的薄膜層。但在鍍膜過(guò)程中,濺射出的微粒能量很低,成膜率較低。
磁控制濺射是獲得高質(zhì)量鍍膜技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的工藝,新型陰極的應(yīng)用使其具有較高的靶材利用率和較高的沉積速率,真空磁控制濺射鍍膜工藝目前廣泛應(yīng)用于大面積基材的鍍膜中。本方法不僅可用于單層膜的沉積,也可用于多層膜的鍍制,也可用于包覆膜、光學(xué)膜、貼膜等的包覆工藝。
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