(3)真空鍍膜機真空包裝
真空泵抽至6.6x10-3pa。逐漸是粗抽,從空氣抽至5pa上下,用食油擴散泵開展細抽。在粗抽時,可以烤制加溫至150℃。隨著鍍膜室溫度的上升,器壁放空氣會使真空值減少,隨后又回暖,直到溫度上升到6.6x10-3pa時才能開展鍍膜工作中。
(4)負電子清理
①氬直流濺射清理
真空值:通人高純氬氣瓶(99.999%)真空值維持在2~3pa。負電子工作電壓:800~1000v。負電子時間:10min.
此時在真空泵鍍膜房間內(nèi)產(chǎn)生電弧放電,充放電造成的氬正離子以較高的力量碰撞產(chǎn)品工件表層,將產(chǎn)品工件表層吸咐的汽體、殘渣和產(chǎn)品工件表層分子磁控濺射出來,外露原材料的新鮮表層。
②鈦負電子
真空值:通人高純氬氣瓶使真空值維持在2x10-2pa。單脈沖偏壓:400~500v,pwm占空比20%。電孤電流量:60~80a,交替點燃電孤?lián)]發(fā)源,每一個電孤?lián)]發(fā)源點燃1~2min。
(5)真空鍍膜機鍍膜
①pvd涂層
真空值:通人高純氬氣瓶,真空值維持在2x10-2pa。單脈沖偏壓:200~300v,pwm占空比50%。電孤電流量:60~80a,點燃所有弧源,時間2~3min.
②鍍ticn
真空值:通人高純氫氣使真空值維持在(3~8)x10-1pa,隨后再慢慢加大c2h2汽體,伴隨著c2h2汽體量擴大,色澤由金黃色一赤金黃一玫瑰金色一灰黑色轉變。操縱n2與c2h2二種混合氣體的百分比可以做到設定的飽和度。
電孤電流量:50~70a。單脈沖偏壓:100~150v,pwm占空比60%~80%。堆積溫度:200℃上下。鍍膜時間:10~20min,膜層薄厚0.2~0.5μm。
(6)制冷
真空鍍膜機鍍膜工藝流程完畢后,首先關掉電孤開關電源和偏壓電源,隨后關掉氣動閥門、轉停架。產(chǎn)品工件在真空泵鍍膜房間內(nèi)制冷至80~100℃時,向鍍膜房間內(nèi)充空氣,取下產(chǎn)品工件。
以上是多弧正離子真空鍍膜機鍍膜加工工藝通用性步驟,運用普遍,也是最多見的。
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